06.06.2019

Dynamika sieci w atomowocienkich materiałach półprzewodnikowych


Akademickie Centrum Materiałów i Nanotechnologii AGH zaprasza na seminarium, które odbędzie się 6 czerwca 2019 r. o godz. 14.00.

Referat pt. „Dynamika sieci w atomowocienkich materiałach półprzewodnikowych” wygłosi prof. dr hab. Adam Babiński (Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki).

Miejsce: ACMiN (ul. Kawiory 30, bud. D-16, sala audytoryjna 1.02A)

Streszczenie

Ogromne zainteresowanie grafenem wywołało także renesans innych materiałów o strukturze warstwowej, takich jak chalkogenki metali przejściowych. Ich struktura, na którą składają się warstwy kowalencyjnie związanych atomów chalkogenów i metali przejściowych, powiązane stosunkowo słabymi wiązaniami van der Waalsa, umożliwia stosunkowo prostą eksfoliację, a więc możliwość uzyskiwania takiej pojedynczej warstwy. Zróżnicowane własności tych materiałów, wśród których są metale, izolatory, nadprzewodniki czy półprzewodniki czynią te materiały niewyczerpaną skarbnicą ewentualnych zastosowań. Podstawową cechą tych materiałów jest dramatyczny wpływ grubości struktury na ich własności. W przypadku materiałów półprzewodnikowych jest to na przykład zmiana przerwy energetycznej ze skośnej w materiale objętościowym w prostą w przypadku warstwy monoatomowej. Grubość struktury wpływa też krytycznie na widmo wzbudzeń sieci krystalicznej tych struktur. Na seminarium będzie mowa o efekcie wpływu grubości na tą strukturę na przykładzie tellurku molibdenu (MoTe2). Omówione zostaną wyniki badań spektroskopii ramanowskiej pokazujące wpływ grubości na energie fononów, a także na ich strukturę. Będą również omówione efekty interferencji kwantowej wpływające na widmo rozpraszania ramanowskiego w przypadku pobudzania rezonansowego.